安徽進(jìn)步半導(dǎo)體科技
ANHUI ADVANCED SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

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優(yōu)質(zhì)氮化鎵外延片供應(yīng)商

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擁有MOCVD外延生長設(shè)備5臺，可直接提供2~8英寸微波射頻/電力電子應(yīng)用GaN外延材料，年產(chǎn)能GaN外延片3000片。

硅基氮化鎵外延片

GaN-on-silicon

4-8inch 硅基氮化鎵外延片，可滿足電力電子級射頻功率器件應(yīng)用

多種襯底氮化鎵外延片

Multiple substrate Gan epitaxial wafers

碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵等多種類型襯底的氮化鎵外延片

GaN電力電子器件

GaN power electronic devices

650V~1200V，10A-40A氮化鎵電力電子器件。

實(shí)力雄厚的氮化鎵制造專家

安徽進(jìn)步半導(dǎo)體科技有限公司以西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院現(xiàn)有人才、技術(shù)、研發(fā)平臺為基礎(chǔ)，結(jié)合郝院士團(tuán)隊(duì)在氮化鎵領(lǐng)域的業(yè)務(wù)布局和發(fā)展需求，成立安徽進(jìn)步半導(dǎo)體科技有限公司。以氮化鎵材料、器件研發(fā)和應(yīng)用為主營業(yè)務(wù)，開展氮化鎵外延片、氮化鎵功率器件研發(fā)制造與銷售、軟件開發(fā)、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)支持、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)支持、技術(shù)推廣等業(yè)務(wù)，注冊于蕪湖高新區(qū)，注冊資金1000萬元。

產(chǎn)品的穩(wěn)定，才對得起客戶的信賴

多年氮化鎵研究制造經(jīng)驗(yàn)-西電蕪研院子公司

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了解更多產(chǎn)品：

13709045792

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